GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange: Fid-Bau Portal

GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange

Aierken, A. / Riikonen, J. / Mattila, M. / Hakkarainen, T. / Sopanen, M. / Lipsanen, H.

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Titel:

GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange

Beteiligte:

Aierken, A. (Autor:in) / Riikonen, J. (Autor:in) / Mattila, M. (Autor:in) / Hakkarainen, T. (Autor:in) / Sopanen, M. (Autor:in) / Lipsanen, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 6232-6235

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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