Growth Induced Stacking Fault Formation in 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Growth Induced Stacking Fault Formation in 4H-SiC

Siche, D. / Albrecht, M. / Rost, H. J. / Sendzik, A.

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Titel:

Growth Induced Stacking Fault Formation in 4H-SiC

Beteiligte:

Siche, D. (Autor:in) / Albrecht, M. (Autor:in) / Rost, H. J. (Autor:in) / Sendzik, A. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 21-24

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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