Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Multi-Epilayers and its Application to UV Detection: Fid-Bau Portal

Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Multi-Epilayers and its Application to UV Detection

Liu, X. F. / Sun, G. S. / Zhao, Y. M. / Ning, J. / Li, J. Y. / Wang, L. / Zhao, W. S. / Luo, M. C. / Li, J. M.

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Titel:

Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Multi-Epilayers and its Application to UV Detection

Beteiligte:

Liu, X. F. (Autor:in) / Sun, G. S. (Autor:in) / Zhao, Y. M. (Autor:in) / Ning, J. (Autor:in) / Li, J. Y. (Autor:in) / Wang, L. (Autor:in) / Zhao, W. S. (Autor:in) / Luo, M. C. (Autor:in) / Li, J. M. (Autor:in) / Wright, N.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 109-112

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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