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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Isochronal Annealing Study of Deep Levels in Hydrogen Implanted p-Type 4H-SiC

    Beteiligte:

    Alfieri, G. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 591-594

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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