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    Titel:

    Isochronal annealing study of hydrogen interaction with implantation-induced point defects in p-type silicon

    Beteiligte:

    Tokuda, Y. ( Autor:in ) / Sato, H. ( Autor:in )

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 277-279

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2003

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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