Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates

    Neue Suche nach: Yano, H.
    Neue Suche nach: Nakao, H.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Uraoka, Y.
    Neue Suche nach: Fuyuki, T.
    Neue Suche nach: Wright, N.
    Neue Suche nach: Johnson, C. M.
    Neue Suche nach: Vassilevski, K.
    Neue Suche nach: Nikitina, I.
    Neue Suche nach: Horsfall, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates

    Neue Suche nach: Yano, H.
    Neue Suche nach: Nakao, H.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Uraoka, Y.
    Neue Suche nach: Fuyuki, T.
    Neue Suche nach: Wright, N.
    Neue Suche nach: Johnson, C. M.
    Neue Suche nach: Vassilevski, K.
    Neue Suche nach: Nikitina, I.
    Neue Suche nach: Horsfall, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates

    Neue Suche nach: Yano, H.
    Neue Suche nach: Nakao, H.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Uraoka, Y.
    Neue Suche nach: Fuyuki, T.
    Neue Suche nach: Wright, N.
    Neue Suche nach: Johnson, C. M.
    Neue Suche nach: Vassilevski, K.
    Neue Suche nach: Nikitina, I.
    Neue Suche nach: Horsfall, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates

    Beteiligte:

    Yano, H. (Autor:in) / Nakao, H. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Uraoka, Y. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 807-810

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Isotropic Channel Mobility in UMOSFETs on 4H-SiC C-Face with Vicinal Off-Angle

    Harada, S. / Ito, S. / Kato, M. et al. | British Library Online Contents | 2010

    High-Performance UMOSFETs in 4H-SiC

    Li, Y. / Cooper, J. A. / Capano, M. A. | British Library Online Contents | 2002

    Evaluation of Trench Oxide Protection Techniques on Ultra High Voltage (10 kV) 4H-SiC UMOSFETs

    Rashid, S. J. / Mihaila, A. / Udrea, F. et al. | British Library Online Contents | 2004

    Bridges and Man's Increased Mobility

    Steinman, D. B. | ASCE | 2021

    Towards Bulk-Like 3C-SiC Growth Using Low Off-Axis Substrates

    Jokubavicius, V. / Huang, H.H. / Schimmel, S. et al. | British Library Online Contents | 2013

    Nach oben