Nanoscale observations of the operational failure for phase-change-type nonvolatile memory devices using Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films: Fid-Bau Portal

Nanoscale observations of the operational failure for phase-change-type nonvolatile memory devices using Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films

Yoon, S. M. / Choi, K. J. / Lee, N. Y. / Lee, S. Y. / Park, Y. S. / Yu, B. G.

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Titel:

Nanoscale observations of the operational failure for phase-change-type nonvolatile memory devices using Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films

Beteiligte:

Yoon, S. M. (Autor:in) / Choi, K. J. (Autor:in) / Lee, N. Y. (Autor:in) / Lee, S. Y. (Autor:in) / Park, Y. S. (Autor:in) / Yu, B. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 316-320

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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