New approach of Nano-Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE: Fid-Bau Portal

New approach of Nano-Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE

Martin, J. / Martinez, A. / Goh, W. H. / Gautier, S. / Dupuis, N. / Le Gratiet, L. / Decobert, J. / Ramdane, A. / Maloufi, N. / Ougazzaden, A.

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Titel:

New approach of Nano-Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE

Beteiligte:

Martin, J. (Autor:in) / Martinez, A. (Autor:in) / Goh, W. H. (Autor:in) / Gautier, S. (Autor:in) / Dupuis, N. (Autor:in) / Le Gratiet, L. (Autor:in) / Decobert, J. (Autor:in) / Ramdane, A. (Autor:in) / Maloufi, N. (Autor:in) / Ougazzaden, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 147 ; 114-117

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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