Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells: Fid-Bau Portal

Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells

Wang, T. S. / Tsai, J. T. / Lin, K. I. / Hwang, J. S. / Lin, H. H. / Chou, L. C.

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Titel:

Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells

Beteiligte:

Wang, T. S. (Autor:in) / Tsai, J. T. (Autor:in) / Lin, K. I. (Autor:in) / Hwang, J. S. (Autor:in) / Lin, H. H. (Autor:in) / Chou, L. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 147 ; 131-135

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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