High-Capacitance Ion Gel Gate Dielectrics with Faster Polarization Response Times for Organic Thin Film Transistors: Fid-Bau Portal

High-Capacitance Ion Gel Gate Dielectrics with Faster Polarization Response Times for Organic Thin Film Transistors

Cho, J. H. / Lee, J. / He, Y. / Kim, B. S. / Lodge, T. P. / Frisbie, C. D.

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Titel:

High-Capacitance Ion Gel Gate Dielectrics with Faster Polarization Response Times for Organic Thin Film Transistors

Beteiligte:

Cho, J. H. (Autor:in) / Lee, J. (Autor:in) / He, Y. (Autor:in) / Kim, B. S. (Autor:in) / Lodge, T. P. (Autor:in) / Frisbie, C. D. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 20 ; 686-690

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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