Characteristics of Si-doped Sb2Te3 thin films for phase-change random access memory: Fid-Bau Portal

Characteristics of Si-doped Sb2Te3 thin films for phase-change random access memory

Zhang, Y. / Feng, J. / Zhang, Z. / Cai, B. / Lin, Y. / Tang, T. a. / Chen, B.

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Titel:

Characteristics of Si-doped Sb2Te3 thin films for phase-change random access memory

Beteiligte:

Zhang, Y. (Autor:in) / Feng, J. (Autor:in) / Zhang, Z. (Autor:in) / Cai, B. (Autor:in) / Lin, Y. (Autor:in) / Tang, T. a. (Autor:in) / Chen, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 5602-5606

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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