Preparation of arsenic-doped Ge nanocrystals embedded in SiO2 film by ion implantation and thermal neutron irradiation: Fid-Bau Portal

Preparation of arsenic-doped Ge nanocrystals embedded in SiO2 film by ion implantation and thermal neutron irradiation

Dun, S. / Lu, T. / Hu, Y. / Hu, Q. / You, C. / Huang, N.

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Titel:

Preparation of arsenic-doped Ge nanocrystals embedded in SiO2 film by ion implantation and thermal neutron irradiation

Beteiligte:

Dun, S. (Autor:in) / Lu, T. (Autor:in) / Hu, Y. (Autor:in) / Hu, Q. (Autor:in) / You, C. (Autor:in) / Huang, N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 62 ; 3617-3619

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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