The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor: Fid-Bau Portal

The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

Rodrigues, S. C. / Araujo, Y. R. / Sipahi, G. M. / Scolfaro, L. M. / da Silva, E. F.

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Titel:

The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

Beteiligte:

Rodrigues, S. C. (Autor:in) / Araujo, Y. R. (Autor:in) / Sipahi, G. M. (Autor:in) / Scolfaro, L. M. (Autor:in) / da Silva, E. F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 709-711

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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