Current Collapse in AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterojunction Field Effect Transistors: Fid-Bau Portal

Current Collapse in AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterojunction Field Effect Transistors

Shimizu, M. / Inada, M. / Yagi, S. / Nakajima, A. / Okumura, H. / Ubukata, A. / Yano, Y. / Akutsu, N.

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Titel:

Current Collapse in AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterojunction Field Effect Transistors

Beteiligte:

Shimizu, M. (Autor:in) / Inada, M. (Autor:in) / Yagi, S. (Autor:in) / Nakajima, A. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Ubukata, A. (Autor:in) / Yano, Y. (Autor:in) / Akutsu, N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1329-1332

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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