Effect of Deep Trap on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs: Fid-Bau Portal

Effect of Deep Trap on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs

Nakajima, A. / Yagi, S. / Shimizu, M. / Okumura, H.

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Titel:

Effect of Deep Trap on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs

Beteiligte:

Nakajima, A. (Autor:in) / Yagi, S. (Autor:in) / Shimizu, M. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1345-1348

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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