Observation of Misfit Dislocations Introduced by Epi-Layer Growth on 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Observation of Misfit Dislocations Introduced by Epi-Layer Growth on 4H-SiC

Matsuhata, H. / Yamaguchi, H. / Nagai, I. / Ohno, T. / Kosugi, R. / Kinoshita, A.

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Titel:

Observation of Misfit Dislocations Introduced by Epi-Layer Growth on 4H-SiC

Beteiligte:

Matsuhata, H. (Autor:in) / Yamaguchi, H. (Autor:in) / Nagai, I. (Autor:in) / Ohno, T. (Autor:in) / Kosugi, R. (Autor:in) / Kinoshita, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 309-312

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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