Studies of Thermal Anisotropy in 4H-, 6H-SiC Bulk Single Crystal Wafers by Photopyroelectric (PPE) Method: Fid-Bau Portal

Studies of Thermal Anisotropy in 4H-, 6H-SiC Bulk Single Crystal Wafers by Photopyroelectric (PPE) Method

Wutimakun, P. / Miyazaki, H. / Okamoto, Y. / Morimoto, J. / Hayashi, T. / Shiomi, H.

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Titel:

Studies of Thermal Anisotropy in 4H-, 6H-SiC Bulk Single Crystal Wafers by Photopyroelectric (PPE) Method

Beteiligte:

Wutimakun, P. (Autor:in) / Miyazaki, H. (Autor:in) / Okamoto, Y. (Autor:in) / Morimoto, J. (Autor:in) / Hayashi, T. (Autor:in) / Shiomi, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 521-524

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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