Aluminum Doping by Low-Temperature Homoepitaxial Growth for Ni Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Aluminum Doping by Low-Temperature Homoepitaxial Growth for Ni Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC

Krishnan, B. / Kotamraju, S.P. / Melnychuk, G. / Merrett, N. / Koshka, Y.

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Titel:

Aluminum Doping by Low-Temperature Homoepitaxial Growth for Ni Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC

Beteiligte:

Krishnan, B. (Autor:in) / Kotamraju, S.P. (Autor:in) / Melnychuk, G. (Autor:in) / Merrett, N. (Autor:in) / Koshka, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 581-584

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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