Critical Issues for MOS Based Power Devices in 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Critical Issues for MOS Based Power Devices in 4H-SiC

Ryu, S.H. / Dhar, S. / Haney, S.K. / Agarwal, A. / Lelis, A.J. / Geil, B. / Scozzie, C.J.

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Titel:

Critical Issues for MOS Based Power Devices in 4H-SiC

Beteiligte:

Ryu, S.H. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in) / Haney, S.K. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Lelis, A.J. (Autor:in) / Geil, B. (Autor:in) / Scozzie, C.J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 743-748

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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