Prolonged 500 ^oC Operation of 6H-SiC JFET Integrated Circuitry: Fid-Bau Portal

Prolonged 500 ^oC Operation of 6H-SiC JFET Integrated Circuitry

Neudeck, P.G. / Spry, D.J. / Chen, L.Y. / Chang, C.W. / Beheim, G.M. / Okojie, R.S. / Evans, L.J. / Meredith, R.D. / Ferrier, T.L. / Krasowski, M.J.

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Neudeck, P.G. / Spry, D.J. / Chen, L.Y. / Chang, C.W. / Beheim, G.M. / Okojie, R.S. / Evans, L.J. / Meredith, R.D. / Ferrier, T.L. / Krasowski, M.J.

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Titel:

Prolonged 500 ^oC Operation of 6H-SiC JFET Integrated Circuitry

Beteiligte:

Neudeck, P.G. (Autor:in) / Spry, D.J. (Autor:in) / Chen, L.Y. (Autor:in) / Chang, C.W. (Autor:in) / Beheim, G.M. (Autor:in) / Okojie, R.S. (Autor:in) / Evans, L.J. (Autor:in) / Meredith, R.D. (Autor:in) / Ferrier, T.L. (Autor:in) / Krasowski, M.J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 929-934

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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