GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate with Al Buffer Layer Prepared by E-Beam Evaporation: Fid-Bau Portal

GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate with Al Buffer Layer Prepared by E-Beam Evaporation

Hwang, H.H. / Kim, J.K. / Choi, J.M. / Lee, W.J. / Kim, I.S. / Shin, B.C. / Lee, H.Y.

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Titel:

GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate with Al Buffer Layer Prepared by E-Beam Evaporation

Beteiligte:

Hwang, H.H. (Autor:in) / Kim, J.K. (Autor:in) / Choi, J.M. (Autor:in) / Lee, W.J. (Autor:in) / Kim, I.S. (Autor:in) / Shin, B.C. (Autor:in) / Lee, H.Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 935-938

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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