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    Titel:

    Structure and principal electrophysical properties of Ge1 − x -Si x thin films

    Beteiligte:

    Abbasov, S. M. (Autor:in) / Agaverdiieva, G. T. (Autor:in) / Baitsar, A. S. (Autor:in) / Faradzhova, U. F. (Autor:in) / Mekhdevi, G. M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    SURFACE ENGINEERING AND APPLIED ELECTROCHEMISTRY C/C OF ELEKTRONNAIA OBRABOTKA MATERIALOV ; 45 ; 161-166

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1068-3755

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44 / 660.297

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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