Phase transition characteristics and electrical properties of nitrogen-doped GeSb thin films for PRAM applications: Fid-Bau Portal

Phase transition characteristics and electrical properties of nitrogen-doped GeSb thin films for PRAM applications

Lee, S. Y. / Kim, H. K. / Kim, J. H. / Roh, J. S. / Choi, D. J.

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Titel:

Phase transition characteristics and electrical properties of nitrogen-doped GeSb thin films for PRAM applications

Beteiligte:

Lee, S. Y. (Autor:in) / Kim, H. K. (Autor:in) / Kim, J. H. (Autor:in) / Roh, J. S. (Autor:in) / Choi, D. J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 44 ; 4354-4359

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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18948 - Pram

Forschungszentrum Deutscher Sprachatlas | DataCite | 1876

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