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Binary semiconductor In2Te3 for the application of phase-change memory device

Zhu, H. / Chen, K. / Ge, Z. / Xu, H. / Su, Y. / Yin, J. / Xia, Y. / Liu, Z.

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Titel:

Binary semiconductor In2Te3 for the application of phase-change memory device

Beteiligte:

Zhu, H. (Autor:in) / Chen, K. (Autor:in) / Ge, Z. (Autor:in) / Xu, H. (Autor:in) / Su, Y. (Autor:in) / Yin, J. (Autor:in) / Xia, Y. (Autor:in) / Liu, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 45 ; 3569-3574

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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