Metastable Defects in Low-Energy Electron Irradiated n-Type 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Metastable Defects in Low-Energy Electron Irradiated n-Type 4H-SiC

Beyer, F.C. / Hemmingsson, C. / Pedersen, H. / Henry, A. / Isoya, J. / Morishita, N. / Ohshima, T. / Janzen, E.

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Titel:

Metastable Defects in Low-Energy Electron Irradiated n-Type 4H-SiC

Beteiligte:

Beyer, F.C. (Autor:in) / Hemmingsson, C. (Autor:in) / Pedersen, H. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Isoya, J. (Autor:in) / Morishita, N. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 435-438

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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