NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications: Fid-Bau Portal

NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications

Le-Huu, M. / Schrey, F.F. / Grieb, M. / Schmitt, H. / Haublein, V. / Bauer, A.J. / Ryssel, H. / Frey, L.

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Titel:

NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications

Beteiligte:

Le-Huu, M. (Autor:in) / Schrey, F.F. (Autor:in) / Grieb, M. (Autor:in) / Schmitt, H. (Autor:in) / Haublein, V. (Autor:in) / Bauer, A.J. (Autor:in) / Ryssel, H. (Autor:in) / Frey, L. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 1143-1146

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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