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High-Temperature Reliability of SiC Power MOSFETs

Lelis, A.J. / Green, R. / Habersat, D.B.

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Titel:

High-Temperature Reliability of SiC Power MOSFETs

Beteiligte:

Lelis, A.J. (Autor:in) / Green, R. (Autor:in) / Habersat, D.B. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 599-602

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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