GaN grown on Si(111) with step-graded AlGaN intermediate layers: Fid-Bau Portal

GaN grown on Si(111) with step-graded AlGaN intermediate layers

Huang, C. C. / Chang, S. J. / Chuang, R. W. / Lin, J. C. / Cheng, Y. C. / Lin, W. J.

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Titel:

GaN grown on Si(111) with step-graded AlGaN intermediate layers

Beteiligte:

Huang, C. C. (Autor:in) / Chang, S. J. (Autor:in) / Chuang, R. W. (Autor:in) / Lin, J. C. (Autor:in) / Cheng, Y. C. (Autor:in) / Lin, W. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 6367-6370

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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