Interfacial Trap Density-of-States in Pentacene- and ZnO-Based Thin-Film Transistors Measured via Novel Photo-excited Charge-Collection Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Interfacial Trap Density-of-States in Pentacene- and ZnO-Based Thin-Film Transistors Measured via Novel Photo-excited Charge-Collection Spectroscopy

Lee, K. / Oh, M. S. / Mun, S. j. / Lee, K. H. / Ha, T. W. / Kim, J. H. / Park, S. H. / Hwang, C. S. / Lee, B. H. / Sung, M. M.

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Lee, K. / Oh, M. S. / Mun, S. j. / Lee, K. H. / Ha, T. W. / Kim, J. H. / Park, S. H. / Hwang, C. S. / Lee, B. H. / Sung, M. M.

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Titel:

Interfacial Trap Density-of-States in Pentacene- and ZnO-Based Thin-Film Transistors Measured via Novel Photo-excited Charge-Collection Spectroscopy

Beteiligte:

Lee, K. (Autor:in) / Oh, M. S. (Autor:in) / Mun, S. j. (Autor:in) / Lee, K. H. (Autor:in) / Ha, T. W. (Autor:in) / Kim, J. H. (Autor:in) / Park, S. H. (Autor:in) / Hwang, C. S. (Autor:in) / Lee, B. H. (Autor:in) / Sung, M. M. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 22 ; 3260-3265

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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