Identification of atomic steps at AlSb/GaAs hetero-epitaxial interface using geometric phase method by high-resolution electron microscopy: Fid-Bau Portal

Identification of atomic steps at AlSb/GaAs hetero-epitaxial interface using geometric phase method by high-resolution electron microscopy

He, X. Q. / Wen, C. / Duan, X. F. / Chen, H.

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Titel:

Identification of atomic steps at AlSb/GaAs hetero-epitaxial interface using geometric phase method by high-resolution electron microscopy

Beteiligte:

He, X. Q. (Autor:in) / Wen, C. (Autor:in) / Duan, X. F. (Autor:in) / Chen, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 65 ; 456-459

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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