Highly Stable Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors Having Double Stacked Active Layers: Fid-Bau Portal

Highly Stable Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors Having Double Stacked Active Layers

Park, J. C. / Kim, S. / Kim, C. / Song, I. / Park, Y. / Jung, U. I. / Kim, D. H. / Lee, J. S.

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Titel:

Highly Stable Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors Having Double Stacked Active Layers

Beteiligte:

Park, J. C. (Autor:in) / Kim, S. (Autor:in) / Kim, C. (Autor:in) / Song, I. (Autor:in) / Park, Y. (Autor:in) / Jung, U. I. (Autor:in) / Kim, D. H. (Autor:in) / Lee, J. S. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 22 ; 5512-5516

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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