Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layer: Fid-Bau Portal

Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layer

Beltran, A. M. / Ben, T. / Sanchez, A. M. / Ripalda, J. M. / Taboada, A. G. / Molina, S. I.

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Titel:

Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layer

Beteiligte:

Beltran, A. M. (Autor:in) / Ben, T. (Autor:in) / Sanchez, A. M. (Autor:in) / Ripalda, J. M. (Autor:in) / Taboada, A. G. (Autor:in) / Molina, S. I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 65 ; 1608-1610

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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