Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Investigation of 3C-SiC Lateral Growth on 4H-SiC Mesas

    Neue Suche nach: Lorenzzi, J.
    Neue Suche nach: Jegenyes, N.
    Neue Suche nach: Lazar, M.
    Neue Suche nach: Tournier, D.
    Neue Suche nach: Cauwet, F.
    Neue Suche nach: Carole, D.
    Neue Suche nach: Ferro, G.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Investigation of 3C-SiC Lateral Growth on 4H-SiC Mesas

    Neue Suche nach: Lorenzzi, J.
    Neue Suche nach: Jegenyes, N.
    Neue Suche nach: Lazar, M.
    Neue Suche nach: Tournier, D.
    Neue Suche nach: Cauwet, F.
    Neue Suche nach: Carole, D.
    Neue Suche nach: Ferro, G.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Investigation of 3C-SiC Lateral Growth on 4H-SiC Mesas

    Neue Suche nach: Lorenzzi, J.
    Neue Suche nach: Jegenyes, N.
    Neue Suche nach: Lazar, M.
    Neue Suche nach: Tournier, D.
    Neue Suche nach: Cauwet, F.
    Neue Suche nach: Carole, D.
    Neue Suche nach: Ferro, G.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Investigation of 3C-SiC Lateral Growth on 4H-SiC Mesas

    Beteiligte:

    Lorenzzi, J. (Autor:in) / Jegenyes, N. (Autor:in) / Lazar, M. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Cauwet, F. (Autor:in) / Carole, D. (Autor:in) / Ferro, G. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 111-114

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Lateral ordering of Ge islands on Si mesas made by selective epitaxial growth

    Vescan, L. / Stoica, T. / Hollander, B. | British Library Online Contents | 2002

    Civilizing terrains : mountains, mounds and mesas

    Morrish, William R. | TIBKAT | 1996

    Growth of 4H and 6H SiC in Trenches and Around Stripe Mesas

    Nordell, N. / Karlsson, S. / Konstantinov, A. O. | British Library Online Contents | 1998

    Morphological modifications during selective growth of InP around cylindrical and parallelepiped mesas

    Lourdudoss, S. / Rodriguez Messmer, E. / Kjebon, O. et al. | British Library Online Contents | 1994

    Growth of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers on 4H-SiC Step-Free Mesas

    Myers-Ward, R.L. / Nyakiti, L.O. / Hite, J.K. et al. | British Library Online Contents | 2011

    Nach oben