Growth of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers on 4H-SiC Step-Free Mesas: Fid-Bau Portal

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Growth of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers on 4H-SiC Step-Free Mesas

Myers-Ward, R.L. / Nyakiti, L.O. / Hite, J.K. / Glembocki, O.J. / Bezares, F.J. / Caldwell, J.D. / Imhoff, E.A. / Hobart, K.D. / Culbertson, J.C. / Picard, Y.N.

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Titel:

Growth of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers on 4H-SiC Step-Free Mesas

Beteiligte:

Myers-Ward, R.L. (Autor:in) / Nyakiti, L.O. (Autor:in) / Hite, J.K. (Autor:in) / Glembocki, O.J. (Autor:in) / Bezares, F.J. (Autor:in) / Caldwell, J.D. (Autor:in) / Imhoff, E.A. (Autor:in) / Hobart, K.D. (Autor:in) / Culbertson, J.C. (Autor:in) / Picard, Y.N. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 119-122

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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