A Comparative Study of the Morphologies of Etch Pits in Semi-Insulating Silicon Carbide Single Crystals: Fid-Bau Portal

A Comparative Study of the Morphologies of Etch Pits in Semi-Insulating Silicon Carbide Single Crystals

Peng, Y. / Xua, X.G. / Hu, X.B. / Chen, X.F. / Gao, Y.Q.

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Titel:

A Comparative Study of the Morphologies of Etch Pits in Semi-Insulating Silicon Carbide Single Crystals

Beteiligte:

Peng, Y. (Autor:in) / Xua, X.G. (Autor:in) / Hu, X.B. (Autor:in) / Chen, X.F. (Autor:in) / Gao, Y.Q. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 145-152

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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