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    Titel:

    Structural and dielectric properties of Ru-based gate/Hf-doped Ta2O5 stacks

    Beteiligte:

    Paskaleva, A. (Autor:in) / Tapajna, M. (Autor:in) / Dobrocka, E. (Autor:in) / Husekova, K. (Autor:in) / Atanassova, E. (Autor:in) / Frohlich, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 7876-7880

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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