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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Collective Electron Tunneling Model in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Structure

    Beteiligte:

    Muraguchi, M. (Autor:in) / Sakurai, Y. (Autor:in) / Takada, Y. (Autor:in) / Shigeta, Y. (Autor:in) / Ikeda, M. (Autor:in) / Makihara, K. (Autor:in) / Miyazaki, S. (Autor:in) / Nomura, S. (Autor:in) / Shiraishi, K. (Autor:in) / Endoh, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics ; 48-53

    KEY ENGINEERING MATERIALS ; 470

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1013-9826

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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