High-Performance Programmable Memory Devices Based on Co-Doped BaTiO3: Fid-Bau Portal

High-Performance Programmable Memory Devices Based on Co-Doped BaTiO3

Yan, Z. / Guo, Y. / Zhang, G. / Liu, J. M.

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Titel:

High-Performance Programmable Memory Devices Based on Co-Doped BaTiO3

Beteiligte:

Yan, Z. (Autor:in) / Guo, Y. (Autor:in) / Zhang, G. (Autor:in) / Liu, J. M. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 23 ; 1351-1355

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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