Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices: Fid-Bau Portal

Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices

Zhang, D. / Bian, J. M. / Qin, F. W. / Wang, J. / Pan, L. / Zhao, J. M. / Zhao, Y. / Bai, Y. Z. / Du, G. T.

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Titel:

Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices

Beteiligte:

Zhang, D. (Autor:in) / Bian, J. M. (Autor:in) / Qin, F. W. (Autor:in) / Wang, J. (Autor:in) / Pan, L. (Autor:in) / Zhao, J. M. (Autor:in) / Zhao, Y. (Autor:in) / Bai, Y. Z. (Autor:in) / Du, G. T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 46 ; 1582-1585

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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