Dielectric Properties of Bismuth Layer-Structured Oxide Thin Films with Preferential Crystal Orientation at High-Temperature: Fid-Bau Portal

Dielectric Properties of Bismuth Layer-Structured Oxide Thin Films with Preferential Crystal Orientation at High-Temperature

Mizutani, Y. / Kimura, J. / Takuwa, I. / Yamada, T. / Funakubo, H. / Uchida, H.

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Titel:

Dielectric Properties of Bismuth Layer-Structured Oxide Thin Films with Preferential Crystal Orientation at High-Temperature

Beteiligte:

Mizutani, Y. (Autor:in) / Kimura, J. (Autor:in) / Takuwa, I. (Autor:in) / Yamada, T. (Autor:in) / Funakubo, H. (Autor:in) / Uchida, H. (Autor:in) / Shinozaki, K. / Fujihara, S. / Chazono, H.

Erschienen in:

Electroceramics in Japan XIV Selected, peer reviewed papers from the 30^t^h Electronics Division Meeting of the Ceramic Society of Japan, October 29-30, 2010, Tokyo, Japan ; 191-194

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 485

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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