Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Defects Study by Activation Energy Profile for Lowering Leakage Current in P-N Junction

    Neue Suche nach: Srithanachai, I.
    Neue Suche nach: Ueamanapong, S.
    Neue Suche nach: Rujanapich, P.
    Neue Suche nach: Atiwongsangthong, N.
    Neue Suche nach: Niemcharoen, S.
    Neue Suche nach: Poyai, A.
    Neue Suche nach: Titiroongruang, W.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Defects Study by Activation Energy Profile for Lowering Leakage Current in P-N Junction

    Neue Suche nach: Srithanachai, I.
    Neue Suche nach: Ueamanapong, S.
    Neue Suche nach: Rujanapich, P.
    Neue Suche nach: Atiwongsangthong, N.
    Neue Suche nach: Niemcharoen, S.
    Neue Suche nach: Poyai, A.
    Neue Suche nach: Titiroongruang, W.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Defects Study by Activation Energy Profile for Lowering Leakage Current in P-N Junction

    Neue Suche nach: Srithanachai, I.
    Neue Suche nach: Ueamanapong, S.
    Neue Suche nach: Rujanapich, P.
    Neue Suche nach: Atiwongsangthong, N.
    Neue Suche nach: Niemcharoen, S.
    Neue Suche nach: Poyai, A.
    Neue Suche nach: Titiroongruang, W.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Defects Study by Activation Energy Profile for Lowering Leakage Current in P-N Junction

    Beteiligte:

    Srithanachai, I. (Autor:in) / Ueamanapong, S. (Autor:in) / Rujanapich, P. (Autor:in) / Atiwongsangthong, N. (Autor:in) / Niemcharoen, S. (Autor:in) / Poyai, A. (Autor:in) / Titiroongruang, W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 695 ; 569-572

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Observation of Crystalline Defects Causing pn Junction Reverse Leakage Current

    Watanabe, T. / Nakao, Y. / Fujihira, K. et al. | British Library Online Contents | 2009

    Defects and Leakage Current in PbTiO~3 Single Crystals

    Tamada, M. / Noguchi, Y. / Miyayama, M. | British Library Online Contents | 2007

    Lowering energy costs

    Online Contents | 1998

    Leakage current and paramagnetic defects in SiCN dielectrics for copper diffusion barriers

    Kobayashi, K. / Yokoyama, H. / Endoh, M. | British Library Online Contents | 2008

    Scouring profile at channel junction

    Borghei, S.M. / Nazari, A. / Daemi, A.R. | British Library Conference Proceedings | 2004

    Nach oben