Performance of a GaAs-Based Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT) with an Electroless-Plated Treated Gate: Fid-Bau Portal

Performance of a GaAs-Based Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT) with an Electroless-Plated Treated Gate

Huang, C.C. / Chen, C.C. / Liou, J.K. / Chou, P.C. / Chen, H.I. / Cheng, S.Y. / Liu, W.C.

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Titel:

Performance of a GaAs-Based Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT) with an Electroless-Plated Treated Gate

Beteiligte:

Huang, C.C. (Autor:in) / Chen, C.C. (Autor:in) / Liou, J.K. (Autor:in) / Chou, P.C. (Autor:in) / Chen, H.I. (Autor:in) / Cheng, S.Y. (Autor:in) / Liu, W.C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 694 ; 891-895

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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