V-shaped defects in In~xGa~1~-~xAs/In~0~.~5~2Al~0~.~4~8As/InP pseudomorphic high electron mobility transistor structure: Fid-Bau Portal

V-shaped defects in In~xGa~1~-~xAs/In~0~.~5~2Al~0~.~4~8As/InP pseudomorphic high electron mobility transistor structure

Lee, H. G. / Kim, S. G. / Roh, D. W. / Lee, J. J. / Pyun, K. E.

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Titel:

V-shaped defects in In~xGa~1~-~xAs/In~0~.~5~2Al~0~.~4~8As/InP pseudomorphic high electron mobility transistor structure

Beteiligte:

Lee, H. G. (Autor:in) / Kim, S. G. (Autor:in) / Roh, D. W. (Autor:in) / Lee, J. J. (Autor:in) / Pyun, K. E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 47 ; 145-149

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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