Fabrication of Ge quantum dots doped TiO2 films with high optical absorption properties via layer-by-layer ion-beam sputtering: Fid-Bau Portal

Fabrication of Ge quantum dots doped TiO2 films with high optical absorption properties via layer-by-layer ion-beam sputtering

Li, X. / He, F. / Liu, G. / Huang, Y. / Pan, C. / Guo, C.

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Titel:

Fabrication of Ge quantum dots doped TiO2 films with high optical absorption properties via layer-by-layer ion-beam sputtering

Beteiligte:

Li, X. (Autor:in) / He, F. (Autor:in) / Liu, G. (Autor:in) / Huang, Y. (Autor:in) / Pan, C. (Autor:in) / Guo, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 67 ; 369-372

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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