Direct Observations of Retention Failure in Ferroelectric Memories: Fid-Bau Portal

Direct Observations of Retention Failure in Ferroelectric Memories

Gao, P. / Nelson, C. T. / Jokisaari, J. R. / Zhang, Y. / Baek, S. H. / Bark, C. W. / Wang, E. / Liu, Y. / Li, J. / Eom, C. B.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Direct Observations of Retention Failure in Ferroelectric Memories

Gao, P. / Nelson, C. T. / Jokisaari, J. R. / Zhang, Y. / Baek, S. H. / Bark, C. W. / Wang, E. / Liu, Y. / Li, J. / Eom, C. B.

Direct Observations of Retention Failure in Ferroelectric Memories

Gao, P. / Nelson, C. T. / Jokisaari, J. R. / Zhang, Y. / Baek, S. H. / Bark, C. W. / Wang, E. / Liu, Y. / Li, J. / Eom, C. B.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Direct Observations of Retention Failure in Ferroelectric Memories

Beteiligte:

Gao, P. (Autor:in) / Nelson, C. T. (Autor:in) / Jokisaari, J. R. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Baek, S. H. (Autor:in) / Bark, C. W. (Autor:in) / Wang, E. (Autor:in) / Liu, Y. (Autor:in) / Li, J. (Autor:in) / Eom, C. B. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 24 ; 1106-1110

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Asadi, K. / Li, M. / Blom, P.W.M. et al. | British Library Online Contents | 2011

Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transmitters

Mikolajick, Thomas / Slesazeck, Stefan / Park, Min Hyuk et al. | British Library Online Contents | 2018

Multilevel Information Storage in Ferroelectric Polymer Memories

Tripathi, A. K. / van Breemen, A. J. / Shen, J. et al. | British Library Online Contents | 2011

Switching characteristics in the ferroelectric organic molecular memories

H. Uemura, / S. Horie, / K. Noda, et al. | IEEE | 2006

Retention characteristics of Ge-nanocrystal nonvolatile MOS memories

Oh, J.S. / Oh, H.T. / Lee, Y.H. et al. | IEEE | 2006

Nach oben