Effects of ZnO buffer layer on GZO RRAM devices: Fid-Bau Portal

Effects of ZnO buffer layer on GZO RRAM devices

Zhao, J. W. / Sun, J. / Huang, H. Q. / Liu, F. J. / Hu, Z. F. / Zhang, X. Q.

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Titel:

Effects of ZnO buffer layer on GZO RRAM devices

Beteiligte:

Zhao, J. W. (Autor:in) / Sun, J. (Autor:in) / Huang, H. Q. (Autor:in) / Liu, F. J. (Autor:in) / Hu, Z. F. (Autor:in) / Zhang, X. Q. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 258 ; 4588-4591

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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