Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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RRAM MATERIALS AND DEVICES
Methods for the manufacture of stable strontium titanate nanocube sols are disclosed.The sols are useful in the manufacture of switchable layers suitable for RRAM applications and the switching performance is stable and reproducible. The RRAM layers comprise a mixture of strontium titanate nanocubes and surfactant.
L'invention concerne des procédés de fabrication de sols de nanocube de titanate de strontium stables. Les sols sont utiles dans la fabrication de couches commutables appropriées pour des applications de RRAM et les performances de commutation sont stables et reproductibles. Les couches de RRAM comprennent un mélange de nanocubes de titanate de strontium et de tensioactif.
RRAM MATERIALS AND DEVICES
Methods for the manufacture of stable strontium titanate nanocube sols are disclosed.The sols are useful in the manufacture of switchable layers suitable for RRAM applications and the switching performance is stable and reproducible. The RRAM layers comprise a mixture of strontium titanate nanocubes and surfactant.
L'invention concerne des procédés de fabrication de sols de nanocube de titanate de strontium stables. Les sols sont utiles dans la fabrication de couches commutables appropriées pour des applications de RRAM et les performances de commutation sont stables et reproductibles. Les couches de RRAM comprennent un mélange de nanocubes de titanate de strontium et de tensioactif.
RRAM MATERIALS AND DEVICES
DISPOSITIFS ET MATÉRIAUX DE RRAM
CHU DEWEI (Autor:in) / WAN TAO (Autor:in) / LI SEAN SUIXIANG (Autor:in)
07.01.2021
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
B82Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen
,
SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES
/
C01F
COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
,
Verbindungen der Metalle Beryllium, Magnesium, Aluminium, Calcium, Strontium, Barium, Radium, Thorium oder der Seltenen Erden
/
C01G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F nicht umfassten Metalle
,
COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C30B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH
,
Züchten von Einkristallen
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
H10N
Effects of ZnO buffer layer on GZO RRAM devices
| British Library Online Contents | 2012
Bipolar Switching Properties of the Manganese Oxide Thin Film RRAM Devices
| British Library Online Contents | 2014