Comparison of 4H Silicon Carbide Epitaxial Growths at Various Growth Pressures using Dicholorosilane and Silane Gases: Fid-Bau Portal

Comparison of 4H Silicon Carbide Epitaxial Growths at Various Growth Pressures using Dicholorosilane and Silane Gases

Rana, T. / Song, H.Z. / Chandrashekhar, M.V.S. / Sudarshan, T.S.

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Titel:

Comparison of 4H Silicon Carbide Epitaxial Growths at Various Growth Pressures using Dicholorosilane and Silane Gases

Beteiligte:

Rana, T. (Autor:in) / Song, H.Z. (Autor:in) / Chandrashekhar, M.V.S. (Autor:in) / Sudarshan, T.S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 117-120

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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