On the Formation of Intrinsic Defects in 4H-SiC by High Temperature Annealing Steps: Fid-Bau Portal

On the Formation of Intrinsic Defects in 4H-SiC by High Temperature Annealing Steps

Zippelius, B. / Suda, J. / Kimoto, T.

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Titel:

On the Formation of Intrinsic Defects in 4H-SiC by High Temperature Annealing Steps

Beteiligte:

Zippelius, B. (Autor:in) / Suda, J. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 247-250

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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