Sub-Bandgap Light-Induced Carrier Generation at Room Temperature in Silicon Carbide MOS Capacitors: Fid-Bau Portal

Sub-Bandgap Light-Induced Carrier Generation at Room Temperature in Silicon Carbide MOS Capacitors

DasGupta, S. / Armstrong, A. / Kaplar, R. / Marinella, M. / Brock, R. / Smith, M. / Atcitty, S.

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Titel:

Sub-Bandgap Light-Induced Carrier Generation at Room Temperature in Silicon Carbide MOS Capacitors

Beteiligte:

DasGupta, S. (Autor:in) / Armstrong, A. (Autor:in) / Kaplar, R. (Autor:in) / Marinella, M. (Autor:in) / Brock, R. (Autor:in) / Smith, M. (Autor:in) / Atcitty, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 441-444

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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